制造商型号： | EFC6612R-TF |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) EFC6612R-TF
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EFC6612R-TF 中文资料
数据手册PDF
EFC6612R-TF 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 -
漏源电阻 4.2 mOhms, 4.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 27 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 92 us, 92 us
正向跨导（Min） 4.7 S, 4.7 S
上升时间 640 ns, 640 ns
晶体管类型 2 N-channel
典型关闭延迟时间 11.8 us, 11.8 us
典型接通延迟时间 30 ns, 30 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3.350 mg
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.482165 | 8.48 |
| 200 | 3.283418 | 656.68 |
| 500 | 3.168211 | 1584.11 |
| 1000 | 3.110608 | 3110.61 |
品牌其他型号
EFC6612R-TF品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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