制造商型号： | SI8902AEDB-T2-E1 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI8902AEDB-T2-E1
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SI8902AEDB-T2-E1 中文资料
数据手册PDF
SI8902AEDB-T2-E1 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 5.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 us
正向跨导（Min） 15 S
上升时间 3.5 us
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 us
典型接通延迟时间 1.5 us
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 128.380 mg
SI8902AEDB-T2-E1 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 6000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥3.536294 总价：￥21217.76 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 6000 | 3.536294 | 21217.76 |
