制造商型号： | SIA777EDJ-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIA777EDJ-T1-GE3
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SIA777EDJ-T1-GE3 中文资料
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SIA777EDJ-T1-GE3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIA777EDJ-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V, 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.5A, 4.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
225mOhm @ 1.6A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.2nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
5W, 7.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 Dual
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 Dual
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 3000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥2.585498 总价：￥7756.49 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 2.585498 | 7756.49 |
