制造商型号： | DMG6968UTS-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMG6968UTS-13
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DMG6968UTS-13 中文资料
数据手册PDF
DMG6968UTS-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.2 A
漏源电阻 34 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 8.8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 158 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5 | 1.767048 | 8.84 |
| 50 | 1.408197 | 70.41 |
| 150 | 1.254341 | 188.15 |
| 500 | 1.059618 | 529.81 |
| 2500 | 0.974166 | 2435.41 |
品牌其他型号
DMG6968UTS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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