极性 N-CH
耗散功率 1 W
输入电容 143 pF
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 5.2A
上升时间 78 ns
输入电容Ciss 143pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 234 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
封装 TSSOP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
DMG6968UTS-13 | Diodes 美台 | 双N沟道共漏 20V 5.2A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: DMG6968UTS-13 品牌: Diodes 美台 封装: TSSOP-8 N-CH 20V 5.2A | 当前型号 | 双N沟道共漏 20V 5.2A | 当前型号 | |
型号: DMG8822UTS-13 品牌: 美台 封装: TSSOP-8 N-CH 20V 4.9A | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 8Pin TSSOP T/R | DMG6968UTS-13和DMG8822UTS-13的区别 | |
型号: ZXMHC3F381N8TC 品牌: 美台 封装: SOP-8 N-Channel 30V 4.98A 4.13A | 功能相似 | ZXMHC3F381N8TC 编带 | DMG6968UTS-13和ZXMHC3F381N8TC的区别 | |
型号: ZXMHC3A01N8TC 品牌: 美台 封装: SOP-8 N+P 30V 2.72A 2.06A | 功能相似 | ZXMHC3A01N8 30 V 125 Ohm N/P 沟道 增强模式 MOSFET H-桥 - SOIC-8 | DMG6968UTS-13和ZXMHC3A01N8TC的区别 |