制造商型号： | DMN63D1LV-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMN63D1LV-7
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DMN63D1LV-7 中文资料
数据手册PDF
DMN63D1LV-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 550 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 392 pC
耗散功率 940 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.9 ns
正向跨导（Min） 80 mS
上升时间 3.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15.7 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.729102 | 5187.31 |
