制造商型号: | IRFH5302DTRPBF |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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INFINEON(英飞凌) IRFH5302DTRPBF
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IRFH5302DTRPBF 中文资料
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IRFH5302DTRPBF 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRFH5302DTRPBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
包装
-
系列
HEXFET®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
29A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.5mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
55nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3635pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PQFN (5x6) Single Die
封装/外壳
8-PowerVDFN
库存: 8000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.285153 | 5.29 |
10 | 3.888259 | 38.88 |
30 | 3.643442 | 109.30 |
100 | 3.384226 | 338.42 |
500 | 3.269018 | 1634.51 |
品牌其他型号
IRFH5302DTRPBF品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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