制造商型号： | CSD18511Q5AT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD18511Q5AT
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CSD18511Q5AT 中文资料
数据手册PDF
CSD18511Q5AT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 82 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 5.2 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 86.200 mg
库存： 1829
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.196191 | 19.20 |
| 10 | 17.160932 | 171.61 |
| 100 | 13.377202 | 1337.72 |
品牌其他型号
CSD18511Q5AT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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