CSD18511Q5A、CSD18511Q5AT、CSD18512Q5B对比区别

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型号 CSD18511Q5A CSD18511Q5AT CSD18512Q5B

描述 CSD18511Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 1.8 VCSD18512Q5B、N 通道 NexFET 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerTDFN-8 VSONP-8 8-VSON-CLIP

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.0019 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 3.1 W 104 W 3.1 W

阈值电压 - 1.8 V -

漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V

上升时间 15 ns 15 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 4500pF @20V(Vds) 5850pF @10V(Vds) 5480pF @20V(Vds)

下降时间 5 ns 5 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3100 mW 3.1W (Ta) 3100 mW

封装 PowerTDFN-8 VSONP-8 8-VSON-CLIP

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 无铅 无铅 Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -