制造商型号： | BSM300D12P3E005 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | SILICON CARBIDE POWER MODULE. B |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | mouser digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) BSM300D12P3E005
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BSM300D12P3E005 中文资料
数据手册PDF
BSM300D12P3E005 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
产品 Power MOSFET Modules
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
正向电压 1.6 V
反向电压 1200 V
栅极电压 22 V
配置 Half-Bridge
下降时间 50 ns
漏极电流 300 A
耗散功率 1260 W
上升时间 35 ns
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 210 ns
典型接通延迟时间 30 ns
漏源击穿电压 1200 V
栅源极阈值电压 2.7 V
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 SiC Power Module
安装风格 Screw Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
BSM300D12P3E005 同类别型号
库存： 4
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 21643.042619 | 21643.04 |
| 4 | 20897.59874 | 83590.39 |
