制造商型号: | APT75GN60B2DQ3G |
制造商: | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 600V 155A 536W TO264 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APT75GN60B2DQ3G
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APT75GN60B2DQ3G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT75GN60B2DQ3G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
IGBT 600V 155A 536W TO264
包装
Tube
系列
-
零件状态
Obsolete
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
155A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
225A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
1.85V @ 15V, 75A
功率 - 最大值
536W
开关能量
2500µJ (on), 2140µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
485nC
25°C 时 Td(开/关)值
47ns/385ns
测试条件
400V, 75A, 1Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装
-
品牌其他型号
APT75GN60B2DQ3G品牌厂家:MICROSEMI
,所属分类: 晶体管-IGBT
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