APT75GN60B2DQ3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT75GN60B2DQ3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 155 A
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 536 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT75GN60B2DQ3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT75GN60B2DQ3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT75GN60B2DQ3G | Microsemi 美高森美 | IGBT 600V 155A 536W TO264 | 搜索库存 |