制造商型号: | APT11N80BC3G |
制造商: | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APT11N80BC3G
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APT11N80BC3G 中文资料
数据手册PDF
APT11N80BC3G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT11N80BC3G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
450mOhm @ 7.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 680µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
60nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1585pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
156W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247 [B]
封装/外壳
TO-247-3
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥52.142406 总价:¥52.14 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 52.142406 | 52.14 |
100 | 50.968583 | 5096.86 |
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APT11N80BC3G品牌厂家:MICROSEMI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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