制造商型号： | RGC80TSX8RGC11 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RGC80TSX8RGC11
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RGC80TSX8RGC11 中文资料
数据手册PDF
RGC80TSX8RGC11 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.8 kV
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 535 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 11.535 g
库存： 880
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 160.176712 | 160.18 |
| 30 | 95.157511 | 2854.73 |
| 120 | 80.882661 | 9705.92 |
| 510 | 74.791205 | 38143.51 |
