制造商型号： | NTMFD4C20NT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V SO8FL |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTMFD4C20NT1G
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NTMFD4C20NT1G 中文资料
数据手册PDF
NTMFD4C20NT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 18 A, 27 A
漏源电阻 7.3 mOhms, 3.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 19 nC, 29 nC
耗散功率 1.88 W, 1.97 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
库存： 400
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.880792 | 11.88 |
| 200 | 4.593906 | 918.78 |
| 500 | 4.435495 | 2217.75 |
| 1000 | 4.36349 | 4363.49 |
