制造商型号: | SI4925DDY-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多SI4925DDY-T1-GE3价格库存等采购信息! |
SILICONIX(威世) SI4925DDY-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SI4925DDY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4925DDY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 29 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 23 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4925DDY-GE3
单位重量 187 mg
SI4925DDY-T1-GE3 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥12.726702 总价:¥12.73 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 12.726702 | 12.73 |
10 | 11.42932 | 114.29 |
100 | 8.908692 | 890.87 |
500 | 7.35974 | 3679.87 |
1000 | 5.810419 | 5810.42 |
品牌其他型号
SI4925DDY-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
,可在锐单商城现货采购SI4925DDY-T1-GE3、查询SI4925DDY-T1-GE3代理商; SI4925DDY-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有
SI4925DDY-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
SI4925DDY-T1-GE3替代型号
、
SI4925DDY-T1-GE3数据手册PDF。