制造商型号： | NTMD3P03R2G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTMD3P03R2G
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NTMD3P03R2G 中文资料
数据手册PDF
NTMD3P03R2G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.05 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 35 ns, 45 ns
正向跨导（Min） 5 S
上升时间 42 ns, 16 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 16 ns, 12 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥15.197906 总价：￥15.20 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 15.197906 | 15.20 |
| 10 | 13.616335 | 136.16 |
| 100 | 10.612586 | 1061.26 |
| 500 | 8.767336 | 4383.67 |
| 1000 | 7.340958 | 7340.96 |
