制造商型号: | NVMFD5C478NT1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | 40V 17 MOHM T6 S08FL DUAL |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NVMFD5C478NT1G
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NVMFD5C478NT1G 中文资料
数据手册PDF
NVMFD5C478NT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.3 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.5 ns
正向跨导(Min) 2 S
上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
库存: 970
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |