制造商型号： | CSD18501Q5A |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 40V 8SON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD18501Q5A
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CSD18501Q5A 中文资料
数据手册PDF
CSD18501Q5A 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 161 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.4 ns
正向跨导（Min） 118 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4.7 ns
规格参数
开发套件 EVMX777BG-01-00-00, EVMX777G-01-20-00
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 87.800 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥24.712058 总价：￥24.71 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 24.712058 | 24.71 |
| 10 | 22.154362 | 221.54 |
| 100 | 17.803804 | 1780.38 |
| 500 | 14.628056 | 7314.03 |
| 1000 | 13.298178 | 13298.18 |
品牌其他型号
CSD18501Q5A品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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