CSD18501Q5A、CSD18511Q5A、CSD18503Q5A对比区别
型号 CSD18501Q5A CSD18511Q5A CSD18503Q5A
描述 40V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18501Q5ACSD18511Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD18503Q5A
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-8 PowerTDFN-8 VSON-FET-8
通道数 1 - 1
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0025 Ω - 0.0034 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 150 W 3.1 W 120 W
阈值电压 1.8 V - 1.8 V
漏源极电压(Vds) 40 V - 40 V
漏源击穿电压 40 V - -
连续漏极电流(Ids) 100A - 19A
上升时间 10 ns 15 ns 8.8 ns
输入电容(Ciss) 3840pF @20V(Vds) 4500pF @20V(Vds) 2640pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W - 3.1 W
下降时间 3.4 ns 5 ns 2.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 150W (Tc) 3100 mW 3.1W (Ta), 120W (Tc)
长度 5.8 mm - 5.8 mm
宽度 5 mm - 5 mm
高度 1.1 mm - 1.1 mm
封装 VSON-8 PowerTDFN-8 VSON-FET-8
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -