制造商型号: | FGH40T65SHDF-F155 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 650V 80A 268W TO-247-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FGH40T65SHDF-F155
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FGH40T65SHDF-F155 中文资料
数据手册PDF
FGH40T65SHDF-F155 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.45 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 268 W
集电极连续电流(Max) 80 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGH40T65SHDF_F155
单位重量 6.390 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 31.722509 | 31.72 |
10 | 28.472886 | 284.73 |
100 | 23.32765 | 2332.76 |
500 | 19.858432 | 9929.22 |
1000 | 16.748079 | 16748.08 |
品牌其他型号
FGH40T65SHDF-F155品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-IGBT
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