FGH40T65SHDF-F155

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

FGH40T65SHDF: IGBT，650 V，40A，场截止沟槽

IGBT 场截止通孔 TO-247 长引线

得捷:
IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3

立创商城:
IGBT，650 V，40A，场截止沟槽

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

FGH40T65SHDF-F155中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 268000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 101 ns

额定功率Max 268 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 268000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FGH40T65SHDF-F155引脚图与封装图

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