制造商型号： | NVJD5121NT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多NVJD5121NT1G价格库存等采购信息！ |
ON(安森美) NVJD5121NT1G
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
NVJD5121NT1G 中文资料
数据手册PDF
NVJD5121NT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 900 pC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 32 ns
正向跨导（Min） 80 S
上升时间 34 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存： 3929
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.735073 | 4.74 |
| 10 | 3.327012 | 33.27 |
| 100 | 1.678459 | 167.85 |
| 500 | 1.48781 | 743.91 |
| 1000 | 1.15785 | 1157.85 |
