制造商型号： | STGW80H65DFB-4 |
制造商： | ST (意法半导体) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT BIPO 650V 80A TO247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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ST(意法半导体) STGW80H65DFB-4
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STGW80H65DFB-4 中文资料
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STGW80H65DFB-4 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STGW80H65DFB-4
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
IGBT BIPO 650V 80A TO247
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
240A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2V @ 15V, 80A
功率 - 最大值
469W
开关能量
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
414nC
25°C 时 Td（开/关）值
84ns/280ns
测试条件
400V, 80A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
85ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4L
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 600 | 35.622016 | 21373.21 |
品牌其他型号
STGW80H65DFB-4品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-IGBT
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