STGW80H65DFB-4中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 469000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 85 ns
额定功率Max 469 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 469000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 TO-247-4
外形尺寸
封装 TO-247-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STGW80H65DFB-4引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGW80H65DFB-4 | ST Microelectronics 意法半导体 | IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed | 搜索库存 |