制造商型号： | TSM200N03DPQ33 RGG |
制造商： | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM200N03DPQ33 RGG
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TSM200N03DPQ33 RGG 中文资料
数据手册PDF
TSM200N03DPQ33 RGG 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 4.1 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.6 ns
正向跨导（Min） 13 S
上升时间 7.2 ns
晶体管类型 Dual N-Channel PowerMOSFET
典型关闭延迟时间 15.8 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM200N03DPQ33
单位重量 304.151 mg
TSM200N03DPQ33 RGG 同类别型号
库存： 5000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5000 | 7.869353 | 39346.76 |
品牌其他型号
TSM200N03DPQ33 RGG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 射频晶体管
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