制造商型号: | TSM2N100CH C5G |
制造商: | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM2N100CH C5G
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TSM2N100CH C5G 中文资料
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TSM2N100CH C5G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM2N100CH C5G
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
8.5Ohm @ 900mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
17nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
625pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
77W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-251 (IPAK)
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
TSM2N100CH C5G 同类别型号
库存: 1834
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 16.309951 | 16.31 |
10 | 14.530684 | 145.31 |
25 | 13.789322 | 344.73 |
100 | 10.343227 | 1034.32 |
250 | 10.244627 | 2561.16 |
500 | 8.766846 | 4383.42 |
1000 | 7.141534 | 7141.53 |
2500 | 7.043057 | 17607.64 |
5000 | 6.402768 | 32013.84 |
品牌其他型号
TSM2N100CH C5G品牌厂家:Taiwan Semiconductor
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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