制造商型号： | TSM60NB190CZ C0G |
制造商： | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM60NB190CZ C0G
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TSM60NB190CZ C0G 中文资料
数据手册PDF
TSM60NB190CZ C0G 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 150.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 95 ns
典型接通延迟时间 36 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM60NB190CZ
单位重量 2 g
库存： 3953
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 52.703262 | 52.70 |
| 10 | 47.29126 | 472.91 |
| 25 | 44.712767 | 1117.82 |
| 100 | 35.770213 | 3577.02 |
| 250 | 33.782791 | 8445.70 |
| 500 | 31.795368 | 15897.68 |
| 1000 | 27.224776 | 27224.78 |
| 2500 | 26.827377 | 67068.44 |
| 5000 | 24.442697 | 122213.49 |
品牌其他型号
TSM60NB190CZ C0G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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