制造商型号: | NTLJD3119CTBG |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NTLJD3119CTBG

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NTLJD3119CTBG 中文资料
数据手册PDF
NTLJD3119CTBG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 21 V, 20 V
漏极电流 3.8 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.7 nC, 5.5 nC
耗散功率 710 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.7 ns, 13.2 ns
正向跨导(Min) 4.2 S, 3.1 S
上升时间 4.7 ns, 13.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 11.1 ns, 13.7 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns, 5.2 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 20 mg
库存: 763
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |