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ON(安森美) NTLJD3119CTBG

ON(安森美) NTLJD3119CTBG
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

NTLJD3119CTBG

制造商:

ON (安森美)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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NTLJD3119CTBG 中文资料

NTLJD3119CTBG 规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 21 V, 20 V

漏极电流 3.8 A

漏源电阻 100 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 3.7 nC, 5.5 nC

耗散功率 710 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 4.7 ns, 13.2 ns

正向跨导(Min) 4.2 S, 3.1 S

上升时间 4.7 ns, 13.2 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 11.1 ns, 13.7 ns

典型接通延迟时间 3.8 ns, 5.2 ns

外形参数

高度 0.75 mm

长度 2 mm

宽度 2 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 20 mg

库存: 763

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服
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价格(含增值税)

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