制造商型号： | BSC123N10LSGATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSC123N10LSGATMA1
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BSC123N10LSGATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSC123N10LSGATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 71 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 114 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 49 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 18 ns
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC123N10LS G SP000379612
单位重量 166 mg
BSC123N10LSGATMA1 同类别型号
库存： 25000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5000 | 10.745562 | 53727.81 |
| 10000 | 10.469969 | 104699.69 |
品牌其他型号
BSC123N10LSGATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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