BSC123N10LSGATMA1、SIR878DP-T1-GE3对比区别

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型号 BSC123N10LSGATMA1 SIR878DP-T1-GE3

描述 INFINEON  BSC123N10LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 100 V, 10 mohm, 10 V, 1.85 VN沟道100 V（ D- S）的MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount -

引脚数 8 8

封装 PG-TDSON-8 -

额定功率 114 W -

针脚数 8 -

漏源极电阻 0.01 Ω 0.0114 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 114 W 5 W

阈值电压 1.85 V 1.2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 10.6A -

上升时间 25 ns -

输入电容(Ciss) 3700pF @50V(Vds) -

下降时间 7 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 114W (Tc) -

长度 5.35 mm -

宽度 6.1 mm -

高度 1.1 mm -

封装 PG-TDSON-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -