制造商型号: | SI2319DDS-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CHAN 40V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SI2319DDS-T1-GE3
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SI2319DDS-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI2319DDS-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12.5 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥5.981144 总价:¥5.98 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.981144 | 5.98 |
10 | 5.083974 | 50.84 |
100 | 3.533861 | 353.39 |
500 | 2.759302 | 1379.65 |
1000 | 2.24268 | 2242.68 |
品牌其他型号
SI2319DDS-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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