制造商型号： | NVDD5894NLT4G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NVDD5894NLT4G
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NVDD5894NLT4G 中文资料
数据手册PDF
NVDD5894NLT4G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 64 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 75 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 13 | 7.576603 | 98.50 |
| 50 | 5.556214 | 277.81 |
| 100 | 5.051096 | 505.11 |
| 1000 | 5.051096 | 5051.10 |
