制造商型号： | US6J11TR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) US6J11TR
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US6J11TR 中文资料
数据手册PDF
US6J11TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.4 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns
正向跨导（Min） 1.4 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 US6J11
单位重量 7.500 mg
库存： 5875
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.97486 | 7.97 |
| 10 | 6.828474 | 68.28 |
| 100 | 4.745042 | 474.50 |
| 500 | 3.704572 | 1852.29 |
| 1000 | 3.011009 | 3011.01 |
品牌其他型号
US6J11TR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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