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US6J11TR
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

P 沟道 1 W 12 V 260 mOhm 表面贴装 功率 Mosfet - TUMT-6

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 12V 1.3A 320mW 表面贴装型 TUMT6


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US6J11TR中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 6

漏源极电阻 190 mΩ

极性 Dual P-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 12 V

漏源击穿电压 12 V

连续漏极电流Ids 1.3A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 290pF @6VVds

额定功率Max 320 mW

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 320 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

US6J11TR引脚图与封装图
US6J11TR引脚图

US6J11TR引脚图

US6J11TR封装图

US6J11TR封装图

US6J11TR封装焊盘图

US6J11TR封装焊盘图

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US6J11TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 P 沟道 1 W 12 V 260 mOhm 表面贴装 功率 Mosfet - TUMT-6 搜索库存