制造商型号： | DMN601VK-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMN601VK-7
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DMN601VK-7 中文资料
数据手册PDF
DMN601VK-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 0.6 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存： 3420
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.359237 | 5.36 |
| 10 | 3.726539 | 37.27 |
| 100 | 1.884457 | 188.45 |
| 500 | 1.537478 | 768.74 |
| 1000 | 1.14077 | 1140.77 |
品牌其他型号
DMN601VK-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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