DMN601VK-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN601VK-7中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 305 mA
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 305 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
封装 SOT-563-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
DMN601VK-7引脚图与封装图
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在线购买DMN601VK-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN601VK-7 | Diodes 美台 | DMN601VK-7 编带 | 搜索库存 |
替代型号DMN601VK-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMN601VK-7 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-563 60V 305mA | 当前型号 | DMN601VK-7 编带 | 当前型号 |
| 型号： DMN601DWK-7 品牌： 美台 封装： SOT-363 Dual N-Channel 60V 305mA | 类似代替 | DMN601DWK-7 编带 | DMN601VK-7和DMN601DWK-7的区别 |
| 型号： DMN601DMK-7 品牌： 美台 封装： SOT-26 60V 305mA | 类似代替 | DMN601 系列 60 V 2.4 Ohm 双 N-沟道 增强型 Mosfet - SOT-23-6 | DMN601VK-7和DMN601DMK-7的区别 |