制造商型号： | FDS4559-F085 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDS4559-F085
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FDS4559-F085 中文资料
数据手册PDF
FDS4559-F085 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.5 A, 3.5 A
漏源电阻 55 mOhms, 105 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 18 nC, 21 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns, 12 ns
正向跨导（Min） 14 S, 9 S
上升时间 8 ns, 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 7 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
类型 Complementary Power Trench MOSFET
零件号别名 FDS4559_F085
单位重量 230.400 mg
品牌其他型号
FDS4559-F085品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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