制造商型号: | FDMC8200S_F106 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ON(安森美) FDMC8200S_F106
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FDMC8200S_F106 中文资料
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FDMC8200S_F106 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDMC8200S_F106
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
包装
Cut Tape (CT)
系列
PowerTrench®
零件状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6A, 8.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
20mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
660pF @ 15V
功率 - 最大值
700mW, 1W
工作温度
-
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-Power33 (3x3)
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FDMC8200S_F106品牌厂家:ON
,所属分类: 射频晶体管
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