制造商型号: | NDS8852H |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) NDS8852H
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NDS8852H 中文资料
数据手册PDF
NDS8852H 规格参数
属性
参数值
制造商型号
NDS8852H
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
包装
Cut Tape (CT)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.3A, 3.4A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
80mOhm @ 3.4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
300pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SOIC