制造商型号： | AUIRF7103QTR |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) AUIRF7103QTR
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AUIRF7103QTR 中文资料
数据手册PDF
AUIRF7103QTR 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 2.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.3 ns
正向跨导（Min） 3.4 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 AUIRF7103QTR SP001517980
单位重量 540 mg
品牌其他型号
AUIRF7103QTR品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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