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AUIRF7103QTR、BSO615NG、AUIRF7103Q对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF7103QTR BSO615NG AUIRF7103Q

描述 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-360V,2.6A,N沟道功率MOSFETINFINEON  AUIRF7103Q  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.13 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 2.4 W - -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.13 Ω - 0.13 Ω

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel N-CH

耗散功率 2.4 W - 2.4 W

阈值电压 1 V - 1 V

漏源极电压(Vds) 50 V 60 V 50 V

连续漏极电流(Ids) 3A 2.60 A 3A

上升时间 1.7 ns - -

输入电容(Ciss) 255pF @25V(Vds) 380pF @25V(Vds) 255pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.4 W 2 W 2.4 W

下降时间 2.3 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.4 W - -

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 2.60 A -

输入电容 - 380 pF -

栅电荷 - 20.0 nC -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -