制造商型号： | IPG20N06S2L35AATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPG20N06S2L35AATMA1
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IPG20N06S2L35AATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPG20N06S2L35AATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 65 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N06S2L-35A SP001023838
单位重量 99.720 mg
IPG20N06S2L35AATMA1 同类别型号
库存： 14760
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 18.267132 | 18.27 |
| 10 | 14.996329 | 149.96 |
| 100 | 11.660108 | 1166.01 |
| 500 | 9.883259 | 4941.63 |
| 1000 | 8.050992 | 8050.99 |
| 2000 | 7.579009 | 15158.02 |
品牌其他型号
IPG20N06S2L35AATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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