IPG20N06S2L35AATMA1

Infineon(英飞凌) 主动器件

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 55V 20A（Tc） 65W 表面贴装型 PG-TDSON-8-10

欧时:
INFINEON MOSFET IPG20N06S2L35AATMA1

得捷:
MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON

e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 20 A, 0.028 ohm, TDSON, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

IPG20N06S2L35AATMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.028 Ω

极性 N-CH

耗散功率 65 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 790pF @25VVds

额定功率Max 65 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 65000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8-10

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Load Switches, Solenoid control, Direct Fuel Injection, ABS Valves, LED and Body lighting

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPG20N06S2L35AATMA1引脚图与封装图

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IPG20N06S2L35AATMA1	Infineon 英飞凌	双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V	搜索库存