制造商型号： | BSZ0909NDXTMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) BSZ0909NDXTMA1
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BSZ0909NDXTMA1 中文资料
数据手册PDF
BSZ0909NDXTMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 3.7 nC
耗散功率 17 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns
正向跨导（Min） 22 S
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ0909ND SP001637282
单位重量 23 mg
库存： 3886
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.114069 | 5.11 |
品牌其他型号
BSZ0909NDXTMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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