制造商型号： | BSZ215CHXTMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSZ215CHXTMA1
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BSZ215CHXTMA1 中文资料
数据手册PDF
BSZ215CHXTMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.1 A, 3.2 A
漏源电阻 41 mOhms, 95 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.1 V, 1 V
栅极电荷 700 pC, 590 pC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.7 ns, 1.4 ns
正向跨导（Min） 4 S, 5.5 S
上升时间 2 ns, 3.7 ns
晶体管类型 1 P-Channel, 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.3 ns, 12.2 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns, 4.9 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ215C H SP001277210
单位重量 38.760 mg
库存： 4708
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.332987 | 14.33 |
| 10 | 12.763772 | 127.64 |
| 25 | 12.108904 | 302.72 |
| 100 | 9.081678 | 908.17 |
| 250 | 8.995186 | 2248.80 |
| 500 | 7.697803 | 3848.90 |
| 1000 | 6.270682 | 6270.68 |
| 2500 | 6.18419 | 15460.48 |
品牌其他型号
BSZ215CHXTMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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