BSZ215CHXTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

1个N沟道和1个P沟道 20V 3.2A 5.1A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道互补型 20V 5.1A，3.2A 2.5W 表面贴装型 PG-TSDSON-8

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON

欧时:
Infineon MOSFET BSZ215CHXTMA1

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1个N沟道和1个P沟道 20V 5.1A 3.2A

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

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Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A 8-Pin TSDSON T/R

Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

BSZ215CHXTMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N+P

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5.1A/3.2A

输入电容Ciss 419pF @10VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TSDSON-8

外形尺寸

封装 PG-TSDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSZ215CHXTMA1引脚图与封装图

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