制造商型号： | HP8K22TB |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) HP8K22TB
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HP8K22TB 中文资料
数据手册PDF
HP8K22TB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 27 A, 57 A
漏源电阻 6.7 mOhms, 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 10 nC, 16.8 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.4 ns, 8.4 ns
正向跨导（Min） 10 S, 18 S
上升时间 4.5 ns, 7.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.5 ns, 34.7 ns
典型接通延迟时间 9.6 ns, 13.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 HP8K22
单位重量 771.020 mg
库存： 2500
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 6.701173 | 16752.93 |
| 5000 | 6.382075 | 31910.38 |
| 12500 | 6.087466 | 76093.32 |
