制造商型号: | FDMS3664S |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ON(安森美) FDMS3664S
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FDMS3664S 中文资料
数据手册PDF
FDMS3664S 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 Power Stage PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13 A, 25 A
漏源电阻 8 mOhms, 2.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 29 nC, 52 nC
耗散功率 2.2 W, 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 171 mg
库存: 2748
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 18.691078 | 18.69 |
10 | 15.289302 | 152.89 |
100 | 11.89251 | 1189.25 |
500 | 10.080722 | 5040.36 |
1000 | 8.211864 | 8211.86 |
品牌其他型号
FDMS3664S品牌厂家:ON
,所属分类: 射频晶体管
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