制造商型号： | FDMC8200 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDMC8200
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FDMC8200 中文资料
数据手册PDF
FDMC8200 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7.3 nC, 16 nC
耗散功率 1.9 W, 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.3 ns, 6 ns
正向跨导（Min） 29 S, 56 S
上升时间 3.1 ns, 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns, 38 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 13 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power Trench MOSFET
单位重量 186 mg
库存： 1062
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 15.679189 | 15.68 |
| 10 | 14.062652 | 140.63 |
| 100 | 10.959631 | 1095.96 |
| 500 | 9.053579 | 4526.79 |
| 1000 | 7.147523 | 7147.52 |
品牌其他型号
FDMC8200品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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